模块分好多种本文介绍变频器功率模块怎样判断好坏
判断*性*先将万用表拨在 R×1K 。挡，用万用表测量时，若某**与其它两*阻值为*穷大，调换表笔后该*与其它两*的阻值仍为*穷大，则判断此*为栅*（ G ）。其余两*再用万用表测量，若测得阻值为*穷大，调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的*次中，则判断红表笔接的为集电*（ C ) ：黑表笔接的为发射*（ E ）。
2 、判断好坏将万用表拨在 R×10KQ 档，用黑表笔接 IGBT 的集电*（ C ) ，红表笔接 IGBT 的发时* ( E ) ，此时万用表的指针在零位。用手指同时触及*下栅*（ G ）和集电*（ C ) ，这时工 GBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站们指示在某*位置。然后再用手指同时触及*下栅*（ G ）和发射*（ E ) ，这时 IGBT 被阻断，万用表的指针 回零。此时即可判断 IGBT 是好的。
3 、注意事项任何指针式万用表铃可用于*测 IGBT 。注意判断IGBT 好坏时，*定要将万用表拨在 R×IOK挡，因 R×IKQ 档以下各档万用表内部电池电压太低，*测好坏时不能使IGBT 导通，而*法判断 IGBT 的好坏。此方法同样也可以用护*测功率场效应晶体管 ( P * MOSFET ）的好坏。
功率模块的好坏判断主要是对功率模块内的续流两* 管的判断.对于IGBT模块我们还需判断在
有触发电压的情况下能否导通和关断。
逆变器IGBT模块*测:
将数字万用表拨到二*管测试档,测试IGBT模块c1 e1、c2 e2之间以及栅*G与 e1、 e2之间正反
向二*管特性,来判断IGBT模块是否完好。
以六相模块为例。将负载侧U、V、W相的导线拆除,使用二*管测试档，红表笔接P(集电*c1)，
黑表笔依次测U、V、W，万用表显示数值为*大；将表笔反过来，黑表笔接P，红表笔测U、V、W，
万用表显示数值为400左右。再将红表笔接N（发射*e2），黑表笔测U、V、W，万用表显示数值为
400左右；黑表笔接P，红表笔测U、V、W，万用表显示数值为*大。各相之间的正反向特性应相同，若出现差别说明IGBT模块性能变差，应予更换。IGBT模块损坏时,只有击穿短路情况出现。
红、黑两表笔分别测栅*G与发射*E之间的正反向特性, 万用表两次所测的数值都为*大，
这时可判定IGBT模块门*正常。如果有数值显示,则门*性能变差，此模块应更换。当正反向测试
结果为零时,说明所*测的*相门*已被击穿短路。门*损坏时电路板保护门*的稳压管也将击穿损坏